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浮選是選礦過(guò)程中較為重要的步驟，但是在浮選時(shí)通常的物料通常有些不是完全親水或者完全疏水的，數(shù)據(jù)分析如圖中曲線的情況。礦粒向氣泡附著的過(guò)程，詳細(xì)可分為a、b、c和d四個(gè)階段，如下圖所示。
首階段a為礦粒與氣泡的互相接近。這是由浮選機(jī)的充氣攪拌、礦漿運(yùn)動(dòng)、表面間引力等因素綜合造成的。礦粒與氣泡互相接觸的機(jī)會(huì)，與攪拌強(qiáng)度、礦粒氣泡的大小尺寸等相關(guān)。此時(shí)礦粒與氣泡的相對(duì)位置如圖2中的a所示，自由能的變化不多，相應(yīng)圖1中曲線2的a到b段。
第二階段b是礦粒與氣泡的水化層接觸。此時(shí)礦粒與氣泡間的距離變化為h2。原來(lái)礦粒與氣泡間的普通水層、由于礦粒與氣泡的逼近，逐步從夾縫中被擠走，直到礦粒表面的水化層與氣泡表面的水化層相互接觸。由于水化層的水分子是在表面鍵能的作用力場(chǎng)范圍內(nèi)，故水分子偶極是定向排列的，這與普通水分子的無(wú)序排列不同。因此，要擠走水化層中的水分子，如圖1曲線2中由b向c處推進(jìn)時(shí)，就要外界向體系作功，才能克服b到c的能峰。
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第三階段c是水化膜的變薄或破裂。水化層受到外加能的作用變薄到一定程度，成為水化膜。如圖2中的位置，間隔距離為c。相應(yīng)圖1曲線2由c到d。此時(shí)水化膜表現(xiàn)出不穩(wěn)定性。即已越過(guò)能峰c，再逼近，距離h3縮為h4，自由能減低，水化膜厚度會(huì)自發(fā)變薄。據(jù)測(cè)定，大致間隔為100~1mm。此時(shí)礦粒與氣泡自發(fā)靠近。
最后階段d是礦粒與氣泡接觸。從情況c，自發(fā)進(jìn)行到d，此時(shí)礦粒與氣泡開(kāi)始接觸。接觸發(fā)生后，如為疏水礦物，接觸周邊可能繼續(xù)擴(kuò)展。
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42分鐘前 梁先生：膨潤(rùn)土磨到200目，用什么磨粉設(shè)備？
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2016-03-15石膏烘干機(jī)的三個(gè)分區(qū)的控制方式相同，調(diào)整過(guò)程也相同，因此我們?cè)诖酥唤o大家講述一區(qū)的調(diào)整控制方式。但是原有的PID控制不能滿足石膏烘干機(jī)溫度控制全自動(dòng)化的實(shí)現(xiàn)。
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2012-06-27